led防爆灯芯片的分类有哪些，对led防爆灯的芯片有哪些要求_如何选择LED防爆灯芯片呢，这在生产厂商都是要知道的，只有好的质量才有过硬的产品，才会有老客户。

      白光运用是蓝光LED芯片的重要，其选用蓝光芯片加led防爆灯黄色荧光粉然后构成白光光源。当时，世界LED大厂在大功率蓝光芯片方面有着较为显着的优势，而国内LED芯片公司当时首要是在中小功率蓝光芯片方面有较大的打开，但因为前几年的过度出资致使了产能过剩，致使中小功率蓝光芯片商场呈现了较为严厉的“价格战”。关于蓝光LED芯片而言，首要的打开方向为硅基 LED防爆灯芯片、高压LED芯片、倒装LED芯片等。关于中小功率LED芯片商场而言，当时干流商场的趋势为0.2-0.5W商场，封装方法包含2835、 5630以及COB封装等。关于其它细分范畴，如笔直计划的芯片，封装后能够运用于指向性照明运用，如手电、矿灯、闪光灯、射灯等灯具商品中

高亮度led防爆灯芯片 

当时，半导体照明商场的进一步打开需求蓝光LED芯片的光效要不断提高，本钱要不断下降。当时科锐根据碳化硅的LED芯片现已完成了200lm/w光效商品的量产，研制水平光效能够抵达276lm/w。在LED芯片本钱下降和光效提高的这一比赛中，当时正遇到以下几个打开瓶颈。

第一是蓝光芯片存在的Droop效应。在大电流密度条件下，发光二极管的外量子功率会下降，有实验标明Droop效应是由包含俄歇效应在内的多种缘由致使，这个效应约束了蓝光芯片在大电流密度下的运用，LED防爆灯然后阻止了流明本钱的下降。

第二是绿色能隙（Green gap）和赤色能隙（Red gap）。当波长从蓝光进入到绿光波段时，LED的量子功率会下降，如530nm的绿光量子功率下降很快；关于红光而言，在深赤色光谱中内部量子功率能够抵达100%，但对志趣白光光源中的橘赤色发光波长（如614nm）而言，其功率活络下降。这些效应约束了绿光和红光芯片的光效提高，延缓了将来的高质量白光的发作。别的，绿光及黄光LED功率也遭到自身极化场的冲击， 而这个效应会跟着更高的铟原子浓度而变得更强。

第三是外延的异质成长疑问。因为外延成长时晶体中存在缺点，构成大的位错密度和缺点，然后致使光效下降和寿数下降。当时蓝光芯片无论是碳化硅、蓝宝石、硅衬底技术都是异质外延，在衬底和外延晶体之间存在晶格失配致使位错，一起因为热膨胀系数的不一样在外延成长后的降温过程中发作热应力，致使外延层呈现缺点、裂纹、晶片曲折等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，然后影响光效和寿数。若是选用GaN同质衬底进行外延成长，运用非极性技术，可最大极限地削减活性层的缺点，使得LED芯片的电流密度比传统芯片高5-10倍，大幅行进发光功率。据报道首尔半导体选用同质衬底开发的nPola新商品，与当时的LED比照，在一样面积上的亮度高出了5倍，但GaN同质衬底关于LED而言仍过于名贵。

整体而言，在蓝光LED芯片的将来打开上，倒装芯片、高压芯片、led防爆灯硅基芯片等都是将来的首要打开趋势。倒装芯片因为散热好能够增大写入电流，不必打线能够提高商品在运用过程中的可靠性；高压LED芯片因为能够愈加匹配供电电压能够行进电源转换功率，再加上定制的IC电源，最适合于LED球泡灯；硅基LED芯片因为能够在6寸或许8寸的硅衬底上进行外延成长，能够大幅度下降LED的本钱，然后加快半导体照明运用年代的降临。LED防爆灯关于其它色彩而言，红光LED芯片和绿光LED芯片的光效都还有很大的提高空间，跟着红光和绿光LED芯片光效进一步的提高，将来白光不一定便是当时的蓝光LED芯片加黄色荧光粉的方法，也可能是RGB或其它的方法，将来白光的封装方法也可能会发作很大的改动。